中国已经成为半导体市场需求规模全球第一的国家。根据IC Insights的数据，中国的半导体市场需求已占到全球市场需求的30%左右。从目前的产能情况来看，12英寸晶圆产能中国的缺口较大。IC Insights的数据是，台湾和韩国掌握了全球56%的12英寸晶圆产能，而中国大陆厂商仅掌握全球不到1%的12英寸晶圆产能，位于中国大陆（包括外商独资）的12英寸晶圆产能则有8%。庞大的市场需求，加上制程技术的局限性，让中国大陆成为投资半导体制造的新热门。
　　2014年底终于见到28nm工艺营收曙光的台联电，在台湾经济部确定没有技术外流疑虑等条件下，经过了审查，确定登陆中国大陆，投资合建一个新的12英寸晶圆厂。项目将采用40与55nm制程，预计正式投产后将每月生产12寸晶圆5万片。
　　“这是中国第一条合资建设的12英寸生产线，”半导体产业研究专家莫大康表示，“尽管联电拿出的是55/40纳米技术，但是它负责运行，因此技术，订单等都不担心。而且联电总体上技术全面胜过我们，有中国学习的地方，从双蠃的角度看，也会改变未来两岸合作的态势。”
　　在技术和市场占有率上更为先进的台积电，目前仅在上海有一座8寸晶圆厂，也同样正在考虑在大陆投资12英寸晶圆厂，并以28nm制程切入。但由于台湾政府要求，前往大陆投资的半导体晶圆厂必须依照“N-2”（落后台湾两代制程）的规定，台积电投建12英寸晶圆厂的计划预计最快于2016实现，并且相关产能将低于台积电总产能的10%。
　　此前，华虹集团旗下的纯12英寸晶圆代工厂——华力微电子早已传出将砸约195亿元，再盖新12英寸厂，并预计锁定先进制程，从28nm制程开始，按照 28nm到16/14nm再到10nm三个世代制程技术的规划，达到月产能约3万~5万片。武汉新芯也已与全球最大闪存公司美国飞索半导（Spansion）正式签约，计划合资兴建12英寸晶圆厂，联合研发生产3D NAND（三维闪存芯片）。
　　截止目前，在中国大陆已经建成的本土12英寸晶圆厂共5家，包括中芯国际在上海的一座300mm芯片厂、北京的两座300mm芯片厂，华力微电子在上海的一座300mm芯片厂和武汉新芯在武汉的一座300mm芯片厂；外商独资的12英寸晶圆厂包括英特尔在大连的一座300mm芯片厂，海力士（Hynix）在无锡的一座300mm芯片厂和三星在西安的一座300mm芯片厂。